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硅片表面清洗

硅片表面沾污是指沉積在硅片表面的粒子、金屬、有機物、濕氣分子和自然氧化膜的一種或幾種。因為有機物會遮蓋部分硅片表面,使氧化層和與之相關的沾污難以去除,清洗的一般思路是首先去除表面的有機沾污;然后溶解氧化層(因為氧化層是“沾污陷阱”,也會引入外延缺陷);最后再去除顆粒、金屬沾污,同時使表面鈍化。

清洗硅片的清洗溶液必須具備以下兩種功能:(1)去除硅片表面的污染物。溶液應具有高氧化能力,可將金屬氧化后溶解于清洗液中,同時可將有機物氧化為二氧化碳和水; (2)防止被除去的污染物再向硅片表面吸附。這就要求硅片表面和顆粒之間的Z電勢具有相同的極性,使二者存在相斥的作用。在堿性溶液中,硅片表面和多數的微粒子是以負的Z電勢存在,有利于去除顆粒;在酸性溶液中,硅片表面以負的Z電勢存在,而多數的微粒子是以正的Z電勢存在,不利于顆粒的去除。

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